SiC obleen eramaile solidoa

VeTek Semiconductor-en SiC oble-eramaile solidoa tenperatura altuko eta korrosioarekiko erresistenteak diren inguruneetarako diseinatuta dago erdieroale prozesu epitaxialetan eta egokia da purutasun-baldintza handiko obleak fabrikatzeko prozesu mota guztietarako. VeTek Semiconductor Txinako obleen hornitzaile liderra da eta erdieroaleen industrian epe luzerako bazkide izatea espero du.

Bidali kontsulta

Produktuaren Deskribapena

SiC oble-eramaile solidoa erdieroaleen epitaxial prozesuko tenperatura altuko, presio handiko eta ingurune korrosiborako fabrikatutako osagai bat da, eta garbitasun handiko eskakizunak dituzten obleak fabrikatzeko prozesuetarako egokia da.

SiC obleen eramaile solidoak oblearen ertza estaltzen du, oblea babesten du eta zehaztasunez kokatzen du, kalitate handiko geruza epitaxialen hazkundea bermatuz. SiC materialak asko erabiltzen dira fase likidoaren epitaxia (LPE), lurrun-deposizio kimikoa (CVD) eta metal organiko-lurrun-deposizioa (MOCVD) bezalako prozesuetan, egonkortasun termiko bikainagatik, korrosioarekiko erresistentziagatik eta eroankortasun termiko bikainagatik. VeTek Semiconductor-en SiC oble-eramaile solidoa ingurune gogor askotan egiaztatu da eta obleen epitaxiaren hazkunde-prozesuaren egonkortasuna eta eraginkortasuna eraginkortasunez berma ditzake.

Vapor-phase epitaxial growth method

SiC obleen eramaile solidoaProduktuaren Ezaugarriak

● Tenperatura oso altuko egonkortasuna: SiC solidoko ostia-eramaileak egonkor egon daitezke 1500 °C arteko tenperaturetan eta ez dute deformaziorik edo pitzadurarik izateko joerarik.

● Kimikoaren korrosioarekiko erresistentzia bikaina: Silizio karburozko purutasun handiko materialak erabiliz, hainbat produktu kimikoren korrosioari aurre egin diezaioke, besteak beste, azido sendoak, alkali indartsuak eta gas korrosiboak, obleen garraiolariaren bizitza luzatuz.

● Eroankortasun termiko handia: SiC oble-eramaile solidoek eroankortasun termiko bikaina dute eta beroa azkar eta uniformeki barreiatu dezakete prozesuan zehar, obleen tenperaturaren egonkortasuna mantentzen eta geruza epitaxialaren uniformetasuna eta kalitatea hobetzen lagunduz.

● Partikula gutxi sortzea: SiC materialek partikula baxua sortzeko ezaugarri naturala dute, kutsadura arriskua murrizten duena eta erdieroaleen industriaren baldintza zorrotzak bete ditzake purutasun handiko.

Zehaztapen teknikoak:

Parametroa	Deskribapena
Materiala	Garbitasun handiko silizio karburo solidoa
Aplikatzen den oblearen tamaina	4 hazbete, 6 hazbete, 8 hazbete, 12 hazbete (pertsonalizagarria)
Tenperaturaren tolerantzia maximoa	1500 °C arte
Erresistentzia kimikoa	Azido eta alkali erresistentzia, fluoruroaren korrosioarekiko erresistentzia
Eroankortasun termikoa	250 W/(m·K)
Partikulen sorrera-tasa	Partikula oso baxua sortzea, garbitasun handiko eskakizunetarako egokia
Pertsonalizazio aukerak	Tamaina, forma eta beste parametro tekniko batzuk behar bezala pertsonaliza daitezke

Zergatik aukeratuVeTek Semiconductorsolido SiC oblea substratu eramaile eraztun?

● Fidagarritasuna: Azken bezeroek proba zorrotzak eta benetako egiaztapena egin ondoren, epe luzerako laguntza egonkorra eskain dezake muturreko baldintzetan eta prozesua eteteko arriskua murrizten du.

● Kalitate handiko materialak: Kalitate goreneko SiC materialez egina, ziurtatu SiC oble-eramaile solido bakoitzak industriako estandar altuak betetzen dituela.

● Pertsonalizazio zerbitzua: Onartu hainbat zehaztapen eta eskakizun teknikoen pertsonalizazioa prozesuko behar zehatzei erantzuteko.

Produktuari buruzko informazio gehiago behar baduzu edo eskaera bat egiteko, jar zaitez gurekin harremanetan. Aholkularitza eta irtenbide profesionalak emango ditugu zure behar zehatzetan oinarrituta, produkzio eraginkortasuna hobetzen eta mantentze-kostuak murrizten laguntzeko.