- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Hasiera
>
Produktuak > Tantalo Karburozko Estaldura > SiC kristal bakarreko hazkuntza prozesuaren ordezko piezak
Txina SiC kristal bakarreko hazkuntza prozesuaren ordezko piezak Fabrikatzailea, Hornitzailea, Fabrika
VeTek Semiconductor-en produktuak, tantalio karburoa (TaC) estaldura produktuak SiC Single Crystal Growth Processerako, silizio karburoaren (SiC) kristalen hazkuntza-interfazearekin lotutako erronkei aurre egiten die, bereziki kristalaren ertzean gertatzen diren akats integralei. TaC estaldura aplikatuz, kristalen hazkuntzaren kalitatea hobetzea eta kristalaren zentroaren eremu eraginkorra handitzea dugu helburu, hau da, hazkunde azkarra eta lodia lortzeko.
TaC estaldura kalitate handiko SiC kristal bakarreko hazkuntza prozesua hazteko oinarrizko soluzio teknologikoa da. TaC estaldura-teknologia arrakastaz garatu dugu lurrun-deposizio kimikoa (CVD) erabiliz, nazioartean maila aurreratu batera iritsi dena. TaC-k aparteko propietateak ditu, besteak beste, 3880 °C arteko urtze-puntu altua, erresistentzia mekaniko bikaina, gogortasuna eta shock termikoaren erresistentzia. Era berean, inertetasun kimiko ona eta egonkortasun termikoa erakusten ditu tenperatura eta substantzien eraginpean daudenean, hala nola amoniakoa, hidrogenoa eta silizioa duten lurruna.
VeTek Semiconductor-en tantalio karburoa (TaC) estaldurak irtenbide bat eskaintzen du SiC kristal bakarreko hazkuntza-prozesuan ertzekin lotutako arazoei aurre egiteko, hazkuntza-prozesuaren kalitatea eta eraginkortasuna hobetuz. Gure TaC estaldura teknologia aurreratuarekin, hirugarren belaunaldiko erdieroaleen industriaren garapena laguntzea eta inportatutako funtsezko materialen menpekotasuna murriztea dugu helburu.
PVT metodoa SiC Kristal bakarreko hazkuntza-prozesuko ordezko piezak:
TaC estalitako arragoa, hazien euskarria TaC estaldurarekin, TaC estalduraren gida-eraztuna zati garrantzitsuak dira SiC eta AIN kristal bakarreko labean PVT metodoaren bidez.
Ezaugarri nagusia:
-Tenperatura handiko erresistentzia
-Araztasun handikoa, ez ditu SiC lehengaiak eta SiC kristal bakarrak kutsatuko.
-Al lurrunarekiko eta N₂-ko korrosioarekiko erresistentea
-Tenperatura eutektiko altua (AlNrekin) kristalak prestatzeko zikloa laburtzeko.
-Birziklagarria (200 ordu arte), kristal bakarreko prestaketaren iraunkortasuna eta eraginkortasuna hobetzen ditu.
TaC estalduraren ezaugarriak
Tac Coating-en ezaugarri fisiko tipikoak
| TaC estalduraren propietate fisikoak | |
| Dentsitatea | 14,3 (g/cm³) |
| Emisio espezifikoa | 0.3 |
| Dilatazio termikoaren koefizientea | 6,3 10-6/K |
| Gogortasuna (HK) | 2000 HK |
| Erresistentzia | 1×10-5 Ohm*cm |
| Egonkortasun termikoa | <2500℃ |
| Grafitoaren tamaina aldatzen da | -10~-20um |
| Estalduraren lodiera | ≥20um balio tipikoa (35um±10um) |
- View as
Tantalo Karburo Estalitako Eraztuna
Txinan Tantalum Carbide Coated Ring produktuen berritzaile profesionala eta lider gisa, VeTek erdieroaleak Tantalum Carbide Coated Ring rol ordezkaezina betetzen du SiC kristalen hazkundean, tenperatura altuko erresistentzia, higadura erresistentzia eta eroankortasun termiko bikainarekin. Ongi etorri zure kontsulta gehiago.
Irakurri gehiagoBidali kontsulta
CVD TaC estaldura eraztuna
VeTek Semiconductor-ren CVD TaC estaldura eraztuna silizio karburoaren (SiC) kristalen hazkuntza prozesuen eskakizun zorrotzak betetzeko diseinatutako osagai oso abantailatsua da. CVD TaC Estaldura Eraztunak tenperatura altuko erresistentzia eta inertetasun kimiko bikainak eskaintzen ditu, tenperatura altuak eta baldintza korrosiboak dituzten inguruneetarako aukera ezin hobea da. Kalitatezko produktuak prezio lehiakorretan eskaintzeko konpromisoa hartzen dugu eta zure epe luzerako bazkide izatea espero dugu. Txinan.
Irakurri gehiagoBidali kontsulta
Grafito porotsua TaC estaliarekin
TaC Coated duen grafito porosoa VeTek Semiconductor-ek emandako erdieroaleen prozesatzeko material aurreratua da. TaC estalitako grafito porotsuak grafito porotsuaren eta tantalio karburoaren (TaC) estalduraren abantailak konbinatzen ditu, eroankortasun termiko onarekin eta gasen iragazkortasunarekin. VeTek Semiconductor-ek kalitatezko produktuak prezio lehiakorretan eskaintzeko konpromisoa hartu du, eta zure epe luzerako bazkide izatea espero dugu Txinan.
Irakurri gehiagoBidali kontsulta
Tantalo Karburoa Estalitako Hodi Kristalaren Hazkuntzarako
VeTek Semiconductor Crystal Growth fabrikatzaile eta berritzaileentzako tantaliozko karburo estalitako hodi nagusia da Txinan. Urte askotan zeramikazko estalduran espezializatuta gaude. Txinan.
Irakurri gehiagoBidali kontsulta
TaC estalitako gida eraztuna
VeTek Semiconductor TaC Coated Guide Ring fabrikatzaile eta berritzaile nagusia da Txinan. Urte askotan zeramikazko estalduran espezializatuta gaude. Ongi etorri gurekin kontsultara informazio gehiago lortzeko.
Irakurri gehiagoBidali kontsulta
TaC estalitako grafito obleen eramailea
VeTek Semiconductor Txinako TaC estalitako grafito obleen fabrikatzaile eta berritzaile nagusia da. Urte askotan SiC eta TaC estalduran espezializatuta egon gara. Gure TaC estalitako grafito obleen garraiolariek tenperatura erresistentzia handiagoa eta higadura erresistentea du. Zure epe luzerako bazkide bihurtzea espero dugu Txinan.
Irakurri gehiagoBidali kontsulta
Txinan SiC kristal bakarreko hazkuntza prozesuaren ordezko piezak fabrikatzaile eta hornitzaile profesional gisa, gure fabrika dugu. Zure eskualdeko behar zehatzei erantzuteko zerbitzu pertsonalizatuak behar dituzun edo Txinan egindako SiC kristal bakarreko hazkuntza prozesuaren ordezko piezak aurreratu eta iraunkorra erosi nahi baduzu, mezu bat utz diezagukezu.
