Txina UV LED susceptor Fabrikatzailea, Hornitzailea, Fabrika

VeTek Semiconductor UV LED susceptoretan espezializatutako fabrikatzailea da, urte askotako ikerketa eta garapena eta ekoizpen esperientzia du LED EPI susceptoretan eta industriako bezero askok aitortu dute.

LED, hau da, erdieroale argi-igorleko diodoa, bere lumineszentziaren izaera fisikoa da erdieroalea pn juntura dinamizatu ondoren, potentzial elektrikoaren gidaritzapean, elektroiak eta material erdieroalearen zuloak konbinatzen direla fotoiak sortzeko, horrela. erdieroaleen lumineszentzia lortu. Hori dela eta, teknologia epitaxiala LEDaren oinarri eta muinetako bat da, eta LEDaren ezaugarri elektriko eta optikoen faktore erabakigarri nagusia ere bada.

Epitaxia (EPI) teknologiak kristal bakarreko material baten hazkuntzari egiten dio erreferentzia kristal bakarreko substratu batean, substratuaren sare-antolaketa berdinarekin. Oinarrizko printzipioa: tenperatura egokian berotutako substratu batean (nagusiki zafiroaren substratua, SiC substratua eta Si substratua), indio (In), galio (Ga), aluminio (Al), fosforo (P) substantzia gaseosoak gainazalean kontrolatzen dira. substratuaren kristal bakarreko film zehatz bat hazteko. Gaur egun, LED xafla epitaxialaren hazkuntza-teknologiak MOCVD metodoa erabiltzen du batez ere (metal-kimiko organiko metaketa meteorologikoa).

LED epitaxial substratuaren materiala

1. LED gorria eta horia:

GaP eta GaAs LED gorri eta horietarako substratuak erabili ohi dira. GaP substratuak fase likidoko epitaxia (LPE) metodoan erabiltzen dira, eta ondorioz 565-700 nm-ko uhin-luzera zabala da. Gas faseko epitaxia (VPE) metodorako, GaAsP geruza epitaxialak hazten dira, 630-650 nm arteko uhin-luzerak emanez. MOCVD erabiltzean, GaAs substratuak normalean AlInGaP epitaxial egituren hazkuntzarekin erabiltzen dira. Honek GaAs substratuen argia xurgatzeko eragozpenak gainditzen laguntzen du, sare-desegokia sartzen duen arren, InGaP eta AlGaInP egiturak hazteko buffer geruzak behar direlarik.

VeTek Semiconductor-ek LED EPI suszeptoreak SiC estaldurarekin, TaC estaldurarekin eskaintzen ditu:

VEECO LED Gorri eta Horia EPI Susceptor LED EPI suszeptorean erabiltzen den TaC estaldura

2. LED urdina eta berdea:

GaN substratua: GaN kristal bakarra GaN hazteko substratu aproposa da, kristalen kalitatea, txiparen bizi-iraupena, argi-eraginkortasuna eta korronte-dentsitatea hobetzeko. Hala ere, bere prestaketa zailak bere aplikazioa mugatzen du.

Zafiro-substratua: Zafiroa (Al2O3) GaN hazteko substratu ohikoena da, egonkortasun kimiko ona eta argi ikusgarririk xurgatzen ez duena. Hala ere, erronkei aurre egiten die eroankortasun termiko nahikoa eskasa duten potentzia txip-en korronte handiko funtzionamenduan.

SiC Substrate: SiC GaN hazteko erabiltzen den beste substratu bat da, merkatu-kuotaren bigarren postuan. Egonkortasun kimiko ona, eroankortasun elektrikoa, eroankortasun termikoa eta argi ikusgarririk ez xurgatzen ditu. Hala ere, prezio altuagoak eta kalitate baxuagoa ditu zafiroarekin alderatuta. SiC ez da egokia 380 nm-tik beherako UV LEDetarako. SiC-ren eroankortasun elektriko eta termiko bikainak flip-chip loturaren beharra ezabatzen du potentzia motako GaN LEDetan zafiro substratuetan beroa xahutzeko. Goiko eta beheko elektrodoen egitura eraginkorra da energia motako GaN LED gailuetan beroa xahutzeko.

AMEC LED urdin eta berdea EPI susceptor MOCVD susceptor TaC estaldurarekin

3. UV LED EPI sakona:

Ultramore sakoneko (DUV) LED epitaxian, UV LED sakonean edo DUV LED Epitaxian, substratu gisa erabili ohi diren material kimikoak aluminio nitruroa (AlN), silizio karburoa (SiC) eta galio nitruroa (GaN) dira. Material hauek eroankortasun termiko, isolamendu elektriko eta kristalen kalitate ona dituzte, eta DUV LED aplikazioetarako egokiak dira potentzia handiko eta tenperatura handiko inguruneetan. Substratu-materialaren aukeraketa faktoreen araberakoa da, hala nola aplikazio-eskakizunak, fabrikazio-prozesuak eta kostuen kontuak.

SiC estalitako UV LED susceptor sakona TaC estalitako UV LED susceptor sakona