Berriak

Zer da pausoz kontrolatutako hazkunde epitaxiala?

Aguaforte-prozesuko arazoak

Erdieroaleen fabrikazioan grabatzeko teknologiak sarritan arazoak izaten ditu, hala nola karga-efektua, mikro-arteka-efektua eta karga-efektua, produktuaren kalitatea eragiten dutenak. Hobekuntza-soluzioak honako hauek dira: plasma-dentsitatea optimizatzea, erreakzio-gasen konposizioa doitzea, huts-......

Zer da beroan prentsatutako SiC zeramika?

Prentsatze beroko sinterizazioa errendimendu handiko SiC zeramika prestatzeko metodo nagusia da. Prentsatze beroko sinterizazio prozesuak honako hauek ditu: purutasun handiko SiC hautsa hautatzea, tenperatura eta presio altuan prentsatzea eta moldatzea, eta gero sinterizazioa. Metodo honen bidez pre......

Karbonoan oinarritutako eremu termikoko materialen aplikazioa silizio karburozko kristalen hazkundean

Silizio karburoa (SiC)-ren hazteko metodo nagusiak PVT, TSSG eta HTCVD dira, bakoitzak abantaila eta erronka desberdinak dituena. Karbonoan oinarritutako eremu termikoko materialek, esaterako, isolamendu sistemak, arragoa, TaC estaldurak eta grafito porotsua kristalen hazkundea hobetzen dute, egonko......

Zergatik jasotzen du hainbeste arreta SiC estaldurak? - VeTek Semiconductor

SiC-k gogortasun, eroankortasun termiko eta korrosioarekiko erresistentzia handia du, erdieroaleen fabrikaziorako aproposa da. CVD SiC estaldura lurrun-jadapen kimikoen bidez sortzen da, eroankortasun termiko handia, egonkortasun kimikoa eta hazkuntza epitaxialerako sare-konstante bat eskaintzen due......

Zergatik nabarmentzen da 3C-SiC SiC polimorfo askoren artean? - VeTek Semiconductor

Silizio karburoa (SiC) doitasun handiko material erdieroalea da, tenperatura altuko erresistentzia, korrosioarekiko erresistentzia eta erresistentzia mekaniko handia bezalako propietate bikainengatik ezaguna. 200 kristal egitura baino gehiago ditu, 3C-SiC mota kubiko bakarra izanik, esferikotasun na......