CVD SiC estaldura eraztuna

CVD SiC estaldura-eraztuna erdiko zatien zati garrantzitsuetako bat da. Beste zati batzuekin batera, SiC epitaxial hazkuntzako erreakzio-ganbera osatzen du. VeTek Semiconductor CVD SiC estaldura eraztunaren fabrikatzaile eta hornitzaile profesionala da. Bezeroaren diseinu-eskakizunen arabera, dagokion CVD SiC estaldura eraztunak prezio lehiakorrenean eman ditzakegu. VeTek Semiconductor-ek zure epe luzerako bazkide bihurtzea espero du Txinan.

Bidali kontsulta

Produktuaren Deskribapena

Ilargi erdiko zatietan zati txiki asko daude, eta SiC estaldura-eraztuna da horietako bat. Geruza bat aplikatuz.CVD SiC estalduraGarbitasun handiko grafitozko eraztunaren gainazalean CVD metodoaren bidez, CVD SiC estaldura eraztuna lor dezakegu. SiC estaldura duen SiC estaldura-eraztunak propietate bikainak ditu, hala nola tenperatura altuko erresistentzia, propietate mekaniko bikainak, egonkortasun kimikoa, eroankortasun termiko ona, isolamendu elektriko ona eta oxidazio-erresistentzia bikaina.CVD SiC estaldura-eraztuna eta SiC estaldura.funerariaelkarrekin lan egin.

SiC coating ring and cooperating susceptor

SiC estaldura eraztuna eta lankidetzanfuneraria

CVD SiC estaldura eraztunaren funtzioak:

● Emaria banaketa: SiC estaldura-eraztunaren diseinu geometrikoak gas-fluxu-eremu uniforme bat osatzen laguntzen du, erreakzio-gasak substratuaren gainazala uniformeki estal dezan, hazkuntza epitaxial uniformea bermatuz.

● Bero-trukea eta tenperatura-uniformitatea: CVD SiC estaldura-eraztunak bero-trukearen errendimendu ona eskaintzen du, horrela CVD SiC estaldura-eraztunaren eta substratuaren tenperatura uniformea mantenduz. Honek tenperaturaren gorabeherek eragindako kristalen akatsak saihestu ditzake.

● Interfazea blokeatzea: CVD SiC estaldura-eraztunak erreaktiboen hedapena mugatu dezake neurri batean, eremu zehatz batean erreakzionatu dezaten, eta, horrela, kalitate handiko SiC kristalen hazkuntza sustatzen du.

● Laguntza-funtzioa: CVD SiC estaldura-eraztuna beheko diskoarekin konbinatzen da egitura egonkor bat osatzeko, tenperatura eta erreakzio-ingurunean deformazioa saihesteko eta erreakzio-ganberaren egonkortasun orokorra mantentzeko.

VeTek Semiconductor beti konpromisoa hartzen du bezeroei kalitate handiko CVD SiC estaldura eraztunak eskaintzeko eta bezeroei irtenbideak osatzen laguntzeko prezio lehiakorrenetan. Ez dio axola zer CVD SiC estaldura-eraztun mota behar duzun, mesedez kontsultatu VeTek Semiconductor!

CVD SIC FILM KRISTAL EGITURAREN SEM DATUAK:

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

CVD SiC estalduraren oinarrizko propietate fisikoak:

CVD SiC estalduraren oinarrizko propietate fisikoak
Jabetza	Balio Tipikoa
Kristal Egitura	FCC β fase polikristalinoa, nagusiki (111) orientatua
Dentsitatea	3,21 g/cm³
Gogortasuna	2500 Vickers gogortasuna (500 g karga)
Ale Tamaina	2~10μm
Garbitasun kimikoa	%99,99995
Bero Ahalmena	640 J·kg^-1·K^-1
Sublimazio-tenperatura	2700 ℃
Flexur Indarra	415 MPa RT 4 puntu
Gazteen Modulua	430 Gpa 4pt bihurgunea, 1300 ℃
Eroankortasun termikoa	300W·m^-1·K^-1
Hedapen termikoa (CTE)	4,5×10^-6K^-1