Tantalo Karburozko Eraztuna

VeTek Semiconductor-en Tantalum Carbide (TaC) Eraztunak kalitate handiko grafitoa erabiltzen du oinarrizko material gisa eta, bere egitura bereziari esker, bere forma eta propietate mekanikoak mantentzeko gai da kristal hazteko labe baten muturreko baldintzetan. Grafitoaren bero-erresistentzia handiak egonkortasun bikaina ematen diokristalen hazkuntza prozesua.

TaC Eraztunaren kanpoko geruza a batekin estalita dagotantalio karburoko estaldura, bere gogortasun oso altuagatik, 3880 °C-tik gorako urtze-puntuagatik eta korrosio kimikoarekiko erresistentzia bikainagatik ezaguna den materiala, tenperatura altuko funtzionamendu-inguruneetarako bereziki egokia da. Tanto karburozko estaldurak hesi sendoa eskaintzen du erreakzio kimiko bortitzak eraginkortasunez saihesteko eta grafitoaren nukleoa tenperatura altuko labeko gasek ez dutela herdoiltzen ziurtatzeko.

zeharsilizio karburoa (SiC) kristalen hazkundea, hazkunde-baldintza egonkor eta uniformeak funtsezkoak dira kalitate handiko kristalak bermatzeko. Tantalio Karburozko Estaldura Eraztunak funtsezko eginkizuna du gas-fluxua erregulatzeko eta labearen tenperatura-banaketa optimizatzeko. Gas gida eraztun gisa, TaC Eraztunak bero-energiaren eta erreakzio-gasen banaketa uniformea ​​bermatzen du, SiC kristalen hazkunde uniformea ​​eta egonkortasuna bermatuz.

Horrez gain, grafitoaren eroankortasun termiko handiak Tantalo Carbide Coated-en babes-efektuarekin konbinatuta, TaC Gida Eraztunak SiC kristalen hazkuntzarako beharrezkoa den tenperatura altuko ingurunean egonkor funtzionatzea ahalbidetzen du. Bere egitura-indarra eta dimentsio-egonkortasuna funtsezkoak dira labean baldintzak mantentzeko, eta horrek zuzenean eragiten du sortutako kristalen kalitatean. Labearen gorabehera termikoak eta erreakzio kimikoak murriztuz, TaC Coating Ring-ek propietate elektroniko bikainak dituzten kristalak sortzen laguntzen du errendimendu handiko erdieroaleen aplikazioetarako.

VeTek Semiconductor-en tantalio-karburozko eraztuna funtsezko osagaia dasilizio karburo kristal hazteko labeaketa iraunkortasun bikainagatik, egonkortasun termikoagatik eta erresistentzia kimikoagatik nabarmentzen da. Grafitoaren nukleoaren eta TaC estalduraren konbinazio bereziari esker, egituraren osotasuna eta funtzionaltasuna mantentzen ditu baldintza gogorretan. Labearen tenperatura eta gas-fluxua zehatz-mehatz kontrolatuz, TaC Coating Ring-ek kalitate handiko SiC kristalak ekoizteko beharrezko baldintzak eskaintzen ditu, funtsezkoak diren puntako osagai erdieroaleen ekoizpenerako.

Tantalo karburoa (TaC) estaldura zehar-ebaki mikroskopiko batean：