Silizio monokristalinorako arragoa

CZ (Czochralski) metodoan, kristal bakar bat hazi da hazi monokristalino bat silizio polikristalino urtuarekin kontaktuan jarriz. Hazia pixkanaka-pixkanaka gorantz ateratzen da poliki-poliki biratzen den bitartean. Prozesu honetan, grafito-pieza kopuru esanguratsua erabiltzen da, eta silizio erdieroaleen fabrikazioan grafito-osagai kopuru handiena erabiltzen duen metodoa da.

Beheko irudiak CZ metodoan oinarritutako kristal bakarreko siliziozko fabrikazio-labe baten irudikapen eskematiko bat eskaintzen du.

Vetek Semiconductor-en Silizio monokristalinorako arragoa ingurune egonkor eta kontrolatua funtsezkoa da erdieroaleen kristalak zehatz-mehatz eratzeko. Funtsezkoak dira silizio monokristalinoaren lingoteak hazteko teknika aurreratuak erabiliz, hala nola Czochralski prozesua eta float-zone metodoak, ezinbestekoak baitira gailu elektronikoetarako kalitate handiko materialak ekoizteko.

Egonkortasun termiko bikaina, korrosio kimikoaren erresistentzia eta hedapen termiko minimorako diseinatuta, arrago hauek iraunkortasuna eta sendotasuna bermatzen dituzte. Ingurune kimiko gogorrak jasateko diseinatuta daude, egituraren osotasuna edo errendimendua kaltetu gabe, eta horrela arragoaren bizi-iraupena luzatuz eta erabilera luzean errendimendu koherentea mantenduz.

Silizio monokristalinorako Vetek Semiconductor Crucibles-en konposizio bereziak tenperatura altuko prozesamenduaren muturreko baldintzak jasateko aukera ematen du. Honek aparteko egonkortasun termikoa eta garbitasuna bermatzen ditu, funtsezkoak baitira erdieroaleen prozesatzeko. Konposizioak bero-transferentzia eraginkorra errazten du, kristalizazio uniformea ​​sustatzen du eta silizio urtuaren barruan gradiente termikoak minimizatzen ditu.

Gure SiC estaldura susceptoraren abantailak:

Oinarrizko materialaren babesa: CVD SiC estaldurak babes-geruza gisa jokatzen du prozesu epitaxialean, oinarrizko materiala higaduratik eta kanpoko inguruneak eragindako kalteetatik modu eraginkorrean babesten du. Babes neurri honek ekipamenduaren bizitza iraupena asko luzatzen du.

Eroankortasun termiko bikaina: gure CVD SiC estaldurak eroankortasun termiko bikaina du, eta beroa oinarrizko materialetik estaldura gainazalera modu eraginkorrean transferitzen du. Horrek kudeaketa termikoaren eraginkortasuna hobetzen du epitaxian, ekipoaren funtzionamendu-tenperatura optimoak bermatuz.

Filmaren kalitate hobetua: CVD SiC estaldurak gainazal laua eta uniformea ​​eskaintzen du, filmaren hazkuntzarako oinarri ezin hobea sortuz. Sarearen desegokitzearen ondoriozko akatsak murrizten ditu, film epitaxialaren kristalintasuna eta kalitatea hobetzen ditu eta, azken batean, bere errendimendua eta fidagarritasuna hobetzen ditu.

Aukeratu gure SiC estaldura susceptor zure oble epitaxialak ekoizteko beharretarako, eta etekina atera babes handiagoari, eroankortasun termiko handiari eta filmaren kalitate hobeari. Fidatu VeTek Semiconductor-en soluzio berritzaileetan zure arrakasta erdieroaleen industrian bultzatzeko.

Ekoizpen dendak:

Txip erdieroaleen epitaxia industria-katearen ikuspegi orokorra: