Aixtron MOCVD hargailua

by sortutako SusceptorsVetek Semiconductorgrafitozko substratuz eta silizio karburoz (SiC) estaldura-materialez eginda daude. Higadura-erresistentzia handiagoa, korrosioarekiko erresistentzia eta SiC materialaren gogortasun oso handia kontuan hartuta, bereziki egokia da prozesu-ingurune gogorretan erabiltzeko. Hori dela eta, Vetek Semiconductor-ek ekoitzitako Susceptors zuzenean erabil daitezke tenperatura altuko MOCVD prozesuetan gainazal tratamendu gehigarririk gabe.

Susceptoreak erdieroaleen fabrikazioan funtsezko osagaiak dira, batez ere MOCVD ekipamenduetan film meheen deposizio prozesuetarako. -ren eginkizun nagusiaAixtron SiC hargailuaMOCVD prozesuan obleak erdieroaleak eramatea da, film meheen deposizio uniformea ​​eta kalitate handikoa bermatzea, bero banaketa eta erreakzio ingurune uniformea ​​eskainiz, eta horrela kalitate handiko film meheen ekoizpena lortuz.

Aixtron MOCVD hargailuanormalean, obleen erdieroaleen oinarria eusteko eta finkatzeko erabiltzen da, deposizio-prozesuan oblearen egonkortasuna bermatzeko. Aldi berean, Aixtron MOCVD Susceptor-en gainazaleko estaldura siliziozko karburoz (SiC) eginda dago, termikoki oso eroale den materiala. SiC estaldurak tenperatura uniformea ​​bermatzen du oblearen gainazalean, eta beroketa uniformea ​​ezinbestekoa da kalitate handiko filmak lortzeko.

Gainera,Aixtron MOCVD hargailuaekoizten ditugun gas erreaktiboen fluxua eta banaketa kontrolatzeko paper handiagoa jokatzen du materialen diseinu optimizatuaren bidez. Saihestu korronte zalapartatsuak eta tenperatura-gradienteak filmaren deposizio uniformea ​​lortzeko.

Are garrantzitsuagoa dena, MOCVD prozesuan, silizio karburoa (SiC) estaldura-materialak korrosioarekiko erresistentzia du, berazVetek Semiconductor'sAixtron MOCVD hargailuatenperatura altuak eta gas korrosiboak ere jasan ditzake.

Oinarrizko propietate fisikoakSIC ESTALDIA:

VeTek Semiconductor Wafer Boat dendak:

Txip erdieroaleen epitaxia industria-katearen ikuspegi orokorra: