- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Berriak
Txinako enpresak 5 nm-ko txipak garatzen ari omen dira Broadcom-ekin!
Atzerriko albisteen arabera, bi iturrik ekainaren 24an jakinarazi zuten ByteDance Broadcom AEBetako txip diseinu enpresarekin lanean ari dela adimen artifizialaren (AI) prozesadore informatiko aurreratu bat garatzeko, eta horrek lagunduko dio ByteDance-ri Txinaren arteko tentsioen artean goi mailako......
Irakurri gehiago
Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: 8 hazbeteko SiC txipak abenduan ekoizten jartzea espero da!
SiC industriako fabrikatzaile nagusi gisa, Sanan Optoelectronics-en erlazionatutako dinamikak arreta zabala jaso du industrian. Duela gutxi, Sanan Optoelectronics-ek azken garapenak ezagutarazi ditu, 8 hazbeteko eraldaketa, substratu fabrikaren ekoizpen berria, enpresa berrien ezarpena, gobernuaren ......
Irakurri gehiago
TaC estalitako grafito piezen aplikazioa kristal bakarreko labeetan
SiC eta AlN kristal bakarren hazkuntzan, lurrun-garraio fisikoaren (PVT) metodoa erabiliz, osagai erabakigarriak, hala nola arragoa, hazien euskarria eta gida-eraztunak ezinbestekoak dira. 2. Irudian [1] irudikatzen den bezala, PVT prozesuan zehar, hazi-kristala tenperatura baxuagoko eskualdean koka......
Irakurri gehiago
SiC epitaxial hazkuntza-labearen bide tekniko desberdinak
Silizio karburoko substratuek akats asko dituzte eta ezin dira zuzenean prozesatu. Kristal bakarreko film mehe espezifiko bat hazi behar da prozesu epitaxial baten bidez txip-obleak egiteko. Film mehe hau geruza epitaxiala da. Silizio-karburozko gailu ia guztiak material epitaxialetan gauzatzen dira......
Irakurri gehiago
Silizio-karburoaren epitaxiako materiala
Silizio-karburoaren epitaxia geruza materiala silizio-karburoa da, potentzia handiko gailu elektronikoak eta LEDak fabrikatzeko erabili ohi dena. Erdieroaleen industrian oso erabilia da bere egonkortasun termiko bikainagatik, erresistentzia mekanikoagatik eta eroankortasun elektriko handiagatik.
Irakurri gehiago
