> Berriak

Berriak

3C SiC-ren garapenaren historia

Etengabeko aurrerapen teknologikoaren eta mekanismoen ikerketa sakonaren bidez, 3C-SiC heteroepitaxial teknologiak erdieroaleen industrian rol garrantzitsuagoa izatea espero da eta eraginkortasun handiko gailu elektronikoen garapena sustatzeko.

Irakurri gehiago

ALD geruza atomikoaren deposizio errezeta

ALD espaziala, espazioan isolatutako geruza atomikoaren deposizioa. Ostia posizio ezberdinen artean mugitzen da eta posizio bakoitzean aitzindari ezberdinen aurrean jartzen da. Beheko irudia ALD tradizionalaren eta espazialki isolatutako ALDren arteko konparazioa da.

Irakurri gehiago

Tantalio karburoaren teknologia aurrerapena, SiC kutsadura epitaxiala % 75 murriztu da?

Duela gutxi, Fraunhofer IISB Alemaniako ikerketa institutuak aurrerapauso bat eman du tantalio karburoaren estaldura-teknologiaren ikerketan eta garapenean, eta CVD jalkitze-soluzioa baino malguagoa eta ingurumena errespetatzen duen spray-estaldura-soluzio bat garatu du, eta merkaturatu egin da.

Irakurri gehiago

Erdieroaleen industrian 3D inprimatzeko teknologiaren esplorazio aplikazioa

Garapen teknologiko azkarreko garaian, 3D inprimaketa, fabrikazio aurreratuko teknologiaren ordezkari garrantzitsu gisa, fabrikazio tradizionalaren aurpegia pixkanaka aldatzen ari da. Teknologiaren etengabeko heldutasunarekin eta kostuen murrizketarekin, 3D inprimaketa teknologiak aplikazio aukera z......

Irakurri gehiago

Silizio (Si) epitaxia prestatzeko teknologia

Kristal bakarreko materialek bakarrik ezin dituzte hainbat gailu erdieroaleen ekoizpen gero eta handiagoaren beharrak ase. 1959. urtearen amaieran, kristal bakarreko material hazteko teknologiaren geruza mehe bat garatu zen - hazkunde epitaxiala.

Irakurri gehiago

8 hazbeteko silizio karburo kristal bakarreko hazkuntza-labe teknologian oinarrituta

Silizio karburoa tenperatura altuko, maiztasun handiko, potentzia handiko eta tentsio handiko gailuak egiteko material aproposetako bat da. Ekoizpen eraginkortasuna hobetzeko eta kostuak murrizteko, tamaina handiko silizio karburoko substratuak prestatzea garapen norabide garrantzitsua da.

Irakurri gehiago

<...6 7 8 9 10 >